挑戰: 可符合ESD ( 靜電防護規範 ) 表面電阻規格的硬質膜. 東準光電材料方案: 利用多層陶瓷硬質膜之設計,設計出可符合ESD 靜電防護的硬質類鑽膜,膜厚 5um ~ 20um。

挑戰: 半導體設備部件表面鍍膜,防止製程中部件金屬物質析出,汙染晶圓。 東準光電材料方案: 表面 SiC 鍍膜,可有效防止半導體設備部件金屬析出,膜厚 : 8 ~ 20 um。

挑戰: 半導體設備部件表面鍍膜,防止製程中部件金屬物質析出,汙染晶圓。 東準光電材料方案: 表面 Si , 99.99% 鍍膜,可有效防止半導體設備部件金屬析出,膜厚 : 8 ~ 15 um。

挑戰: 鑽井、輸送與提煉製程中,設備面臨高溫、高壓及硫化物的劇烈腐蝕。 東準光電材料方案: 針對鑽頭、管件接頭及高壓閥門提供特殊的抗侵蝕塗層,確保在深海或極端化學環境下,生產線依然能維持安全運轉

挑戰: 軍規零件需在極端溫度、高沙塵及高應力環境下維持運作。 東準光電材料方案: 利用PECVD專利技術 及高性能 DLC 鍍膜,提供低摩擦、高穩定性的表面特性,確保航太組件、槍械機構或特殊動力
